விளக்கம்
எங்கள் நிறுவனம் வழங்குகிறதுSiC பூச்சுகிராஃபைட், மட்பாண்டங்கள் மற்றும் பிற பொருட்களின் மேற்பரப்பில் CVD முறையில் சேவைகளைச் செயல்படுத்துகிறது, இதனால் கார்பன் மற்றும் சிலிக்கான் கொண்ட சிறப்பு வாயுக்கள் அதிக வெப்பநிலையில் வினைபுரிந்து, உயர் தூய்மையான SiC மூலக்கூறுகளைப் பெறுகின்றன, பூசப்பட்ட பொருட்களின் மேற்பரப்பில் டெபாசிட் செய்யப்பட்ட மூலக்கூறுகள், உருவாகின்றன.SiC பாதுகாப்பு அடுக்கு.
முக்கிய அம்சங்கள்
1. அதிக வெப்பநிலை ஆக்சிஜனேற்ற எதிர்ப்பு:
வெப்பநிலை 1600 C ஆக இருக்கும்போது ஆக்ஸிஜனேற்ற எதிர்ப்பு இன்னும் நன்றாக இருக்கும்.
2. உயர் தூய்மை: அதிக வெப்பநிலை குளோரினேஷன் நிலையில் இரசாயன நீராவி படிவு மூலம் செய்யப்படுகிறது.
3. அரிப்பு எதிர்ப்பு: அதிக கடினத்தன்மை, கச்சிதமான மேற்பரப்பு, நுண்ணிய துகள்கள்.
4. அரிப்பு எதிர்ப்பு: அமிலம், காரம், உப்பு மற்றும் கரிம எதிர்வினைகள்.
CVD-SIC பூச்சுகளின் முக்கிய விவரக்குறிப்புகள்
| SiC-CVD பண்புகள் | ||
| படிக அமைப்பு | FCC β கட்டம் | |
| அடர்த்தி | g/cm ³ | 3.21 |
| கடினத்தன்மை | விக்கர்ஸ் கடினத்தன்மை | 2500 |
| தானிய அளவு | μm | 2~10 |
| இரசாயன தூய்மை | % | 99.99995 |
| வெப்ப திறன் | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| பதங்கமாதல் வெப்பநிலை | ℃ | 2700 |
| Felexural வலிமை | MPa (RT 4-புள்ளி) | 415 |
| யங்ஸ் மாடுலஸ் | Gpa (4pt வளைவு, 1300℃) | 430 |
| வெப்ப விரிவாக்கம் (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| வெப்ப கடத்துத்திறன் | (W/mK) | 300 |
உபகரணங்கள்
