சீனா வேஃபர் உற்பத்தியாளர்கள், சப்ளையர்கள், தொழிற்சாலை

செதில்களில் வெவ்வேறு பொருட்கள்

செமிகண்டக்டர் செதில்கள் அதன் மிகுதி, சிறந்த மின் பண்புகள் மற்றும் நிலையான குறைக்கடத்தி உற்பத்தி செயல்முறைகளுடன் இணக்கத்தன்மை காரணமாக முதன்மையாக ஒற்றை-படிக சிலிக்கானில் இருந்து தயாரிக்கப்படுகின்றன. இருப்பினும், குறிப்பிட்ட பயன்பாடுகள் மற்றும் தேவைகளைப் பொறுத்து, செதில்களை உருவாக்க மற்ற பொருட்களையும் பயன்படுத்தலாம். இதோ சில உதாரணங்கள்:

சிலிக்கான் கார்பைடு (SiC) என்பது ஒரு பரந்த பேண்ட்கேப் குறைக்கடத்தி பொருளாகும், இது பாரம்பரிய பொருட்களுடன் ஒப்பிடும்போது சிறந்த இயற்பியல் பண்புகளை வழங்குகிறது. இது தனித்த சாதனங்கள், தொகுதிகள் மற்றும் முழு அமைப்புகளின் அளவு மற்றும் எடையைக் குறைக்க உதவுகிறது, அதே நேரத்தில் செயல்திறனை மேம்படுத்துகிறது.

SiC இன் முக்கிய பண்புகள்:

1. பரந்த பேண்ட்கேப்:SiC இன் பேண்ட்கேப் சிலிக்கானை விட மூன்று மடங்கு அதிகம், இது 400°C வரை அதிக வெப்பநிலையில் செயல்பட அனுமதிக்கிறது.
2. -உயர் சிக்கலான முறிவு புலம்:SiC ஆனது சிலிக்கானின் மின்சார புலத்தை விட பத்து மடங்கு வரை தாங்கக்கூடியது, இது உயர் மின்னழுத்த சாதனங்களுக்கு ஏற்றதாக அமைகிறது.
3. -அதிக வெப்ப கடத்துத்திறன்:SiC திறமையாக வெப்பத்தை சிதறடிக்கிறது, சாதனங்கள் உகந்த இயக்க வெப்பநிலையை பராமரிக்க உதவுகிறது மற்றும் அவற்றின் ஆயுட்காலம் நீடிக்கின்றன.
4. -அதிக செறிவு எலக்ட்ரான் சறுக்கல் வேகம்:சிலிக்கானின் இருமடங்கான சறுக்கல் வேகத்துடன், SiC ஆனது அதிக மாறுதல் அதிர்வெண்களை செயல்படுத்துகிறது, இது சாதனத்தின் சிறியமயமாக்கலுக்கு உதவுகிறது.

பயன்பாடுகள்:

• -பவர் எலக்ட்ரானிக்ஸ்:SiC சக்தி சாதனங்கள் உயர் மின்னழுத்தம், உயர் மின்னோட்டம், உயர் வெப்பநிலை மற்றும் உயர் அதிர்வெண் சூழல்களில் சிறந்து விளங்குகின்றன, இது ஆற்றல் மாற்ற திறனை கணிசமாக மேம்படுத்துகிறது. அவை மின்சார வாகனங்கள், சார்ஜிங் நிலையங்கள், ஒளிமின்னழுத்த அமைப்புகள், ரயில் போக்குவரத்து மற்றும் ஸ்மார்ட் கட்டங்களில் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படுகின்றன.

• -மைக்ரோவேவ் கம்யூனிகேஷன்ஸ்:SiC-அடிப்படையிலான GaN RF சாதனங்கள் வயர்லெஸ் தகவல் தொடர்பு உள்கட்டமைப்புக்கு, குறிப்பாக 5G அடிப்படை நிலையங்களுக்கு முக்கியமானவை. இந்த சாதனங்கள் SiC இன் சிறந்த வெப்ப கடத்துத்திறனை GaN இன் உயர்-அதிர்வெண், உயர்-சக்தி RF வெளியீட்டுடன் இணைத்து, அடுத்த தலைமுறை உயர்-அதிர்வெண் தொலைத்தொடர்பு நெட்வொர்க்குகளுக்கு விருப்பமான தேர்வாக அமைகிறது.

காலியம் நைட்ரைடு (GaN)ஒரு பெரிய பேண்ட்கேப், அதிக வெப்ப கடத்துத்திறன், உயர் எலக்ட்ரான் செறிவூட்டல் சறுக்கல் வேகம் மற்றும் சிறந்த முறிவு புலம் பண்புகள் கொண்ட மூன்றாம் தலைமுறை பரந்த பேண்ட்கேப் குறைக்கடத்தி பொருள். எல்இடி ஆற்றல் சேமிப்பு விளக்குகள், லேசர் புரொஜெக்ஷன் டிஸ்ப்ளேக்கள், மின்சார வாகனங்கள், ஸ்மார்ட் கிரிட்கள் மற்றும் 5ஜி தகவல்தொடர்புகள் போன்ற உயர் அதிர்வெண், அதிவேக மற்றும் உயர் சக்தி பகுதிகளில் GaN சாதனங்கள் பரந்த பயன்பாட்டு வாய்ப்புகளைக் கொண்டுள்ளன.

காலியம் ஆர்சனைடு (GaAs)அதிக அதிர்வெண், அதிக எலக்ட்ரான் இயக்கம், அதிக சக்தி வெளியீடு, குறைந்த சத்தம் மற்றும் நல்ல நேர்கோட்டுத்தன்மை ஆகியவற்றிற்கு அறியப்பட்ட குறைக்கடத்தி பொருள் ஆகும். இது ஆப்டோ எலக்ட்ரானிக்ஸ் மற்றும் மைக்ரோ எலக்ட்ரானிக்ஸ் தொழில்களில் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது. ஆப்டோ எலக்ட்ரானிக்ஸில், எல்இடி (ஒளி-உமிழும் டையோட்கள்), எல்டி (லேசர் டையோட்கள்) மற்றும் ஒளிமின்னழுத்த சாதனங்களை தயாரிக்க GaAs அடி மூலக்கூறுகள் பயன்படுத்தப்படுகின்றன. மைக்ரோ எலக்ட்ரானிக்ஸில், அவர்கள் MESFETகள் (உலோக-குறைக்கடத்தி புலம்-விளைவு டிரான்சிஸ்டர்கள்), HEMTகள் (உயர் எலக்ட்ரான் மொபிலிட்டி டிரான்சிஸ்டர்கள்), HBTகள் (ஹெட்டோரோஜங்ஷன் பைபோலார் டிரான்சிஸ்டர்கள்), ICகள் (ஒருங்கிணைந்த சுற்றுகள்), மைக்ரோவேவ் டையோட்கள் மற்றும் ஹால் எஃபெக்ட் சாதனங்களின் உற்பத்தியில் பணிபுரிகின்றனர்.

இண்டியம் பாஸ்பைடு (InP)முக்கியமான III-V கலவை குறைக்கடத்திகளில் ஒன்றாகும், அதன் உயர் எலக்ட்ரான் இயக்கம், சிறந்த கதிர்வீச்சு எதிர்ப்பு மற்றும் பரந்த பேண்ட்கேப் ஆகியவற்றிற்கு அறியப்படுகிறது. இது ஆப்டோ எலக்ட்ரானிக்ஸ் மற்றும் மைக்ரோ எலக்ட்ரானிக்ஸ் தொழில்களில் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது.