இன் முக்கிய கூறுகளில் ஒன்றாகMOCVD உபகரணங்கள், கிராஃபைட் அடிப்படை என்பது அடி மூலக்கூறின் கேரியர் மற்றும் வெப்பமூட்டும் உடலாகும், இது படப் பொருளின் சீரான தன்மை மற்றும் தூய்மையை நேரடியாக தீர்மானிக்கிறது, எனவே அதன் தரம் நேரடியாக எபிடாக்சியல் தாளின் தயாரிப்பை பாதிக்கிறது, அதே நேரத்தில், எண்ணிக்கையின் அதிகரிப்புடன் பயன்பாடுகள் மற்றும் வேலை நிலைமைகளின் மாற்றம், அதை அணிவது மிகவும் எளிதானது, நுகர்பொருட்களுக்கு சொந்தமானது.
கிராஃபைட் சிறந்த வெப்ப கடத்துத்திறன் மற்றும் நிலைப்புத்தன்மையைக் கொண்டிருந்தாலும், அடிப்படைக் கூறுகளாக இது ஒரு நல்ல நன்மையைக் கொண்டுள்ளதுMOCVD உபகரணங்கள், ஆனால் உற்பத்தி செயல்பாட்டில், அரிக்கும் வாயுக்கள் மற்றும் உலோக கரிமங்களின் எச்சம் காரணமாக கிராஃபைட் தூளை அரிக்கும், மேலும் கிராஃபைட் தளத்தின் சேவை வாழ்க்கை பெரிதும் குறைக்கப்படும். அதே நேரத்தில், விழும் கிராஃபைட் தூள் சிப்புக்கு மாசு ஏற்படுத்தும்.
பூச்சு தொழில்நுட்பத்தின் தோற்றம் மேற்பரப்பு தூள் சரிசெய்தல், வெப்ப கடத்துத்திறனை மேம்படுத்துதல் மற்றும் வெப்ப விநியோகத்தை சமன் செய்யலாம், இது இந்த சிக்கலை தீர்க்க முக்கிய தொழில்நுட்பமாக மாறியுள்ளது. கிராஃபைட் அடித்தளம்MOCVD உபகரணங்கள்சூழலைப் பயன்படுத்துதல், கிராஃபைட் அடிப்படை மேற்பரப்பு பூச்சு பின்வரும் பண்புகளை பூர்த்தி செய்ய வேண்டும்:
(1) கிராஃபைட் தளத்தை முழுமையாக மூடலாம், மேலும் அடர்த்தி நன்றாக இருக்கும், இல்லையெனில் கிராஃபைட் தளத்தை அரிக்கும் வாயுவில் அரித்துவிடுவது எளிது.
(2) பல உயர் வெப்பநிலை மற்றும் குறைந்த வெப்பநிலை சுழற்சிகளுக்குப் பிறகு பூச்சு உதிர்ந்து விடுவது எளிதல்ல என்பதை உறுதிப்படுத்த கிராஃபைட் தளத்துடன் கூடிய கூட்டு வலிமை அதிகமாக உள்ளது.
(3) அதிக வெப்பநிலை மற்றும் அரிக்கும் வளிமண்டலத்தில் பூச்சு தோல்வியைத் தவிர்க்க இது நல்ல இரசாயன நிலைத்தன்மையைக் கொண்டுள்ளது.
SiC ஆனது அரிப்பு எதிர்ப்பு, உயர் வெப்ப கடத்துத்திறன், வெப்ப அதிர்ச்சி எதிர்ப்பு மற்றும் உயர் இரசாயன நிலைத்தன்மை ஆகியவற்றின் நன்மைகளைக் கொண்டுள்ளது, மேலும் GaN எபிடாக்சியல் வளிமண்டலத்தில் நன்றாக வேலை செய்ய முடியும். கூடுதலாக, SiC இன் வெப்ப விரிவாக்கக் குணகம் கிராஃபைட்டிலிருந்து மிகவும் குறைவாகவே வேறுபடுகிறது, எனவே SiC என்பது கிராஃபைட் தளத்தின் மேற்பரப்பு பூச்சுக்கு விருப்பமான பொருளாகும்.
தற்போது, பொதுவான SiC முக்கியமாக 3C, 4H மற்றும் 6H வகையாகும், மேலும் பல்வேறு படிக வகைகளின் SiC பயன்பாடுகள் வேறுபட்டவை. எடுத்துக்காட்டாக, 4H-SiC உயர் சக்தி சாதனங்களைத் தயாரிக்க முடியும்; 6H-SiC மிகவும் நிலையானது மற்றும் ஒளிமின்னழுத்த சாதனங்களை தயாரிக்க முடியும்; GaN உடன் அதன் ஒத்த அமைப்பு காரணமாக, 3C-SiC ஆனது GaN எபிடாக்சியல் லேயரை உருவாக்கவும் SiC-GaN RF சாதனங்களை தயாரிக்கவும் பயன்படுகிறது. 3C-SiC என்றும் பொதுவாக அறியப்படுகிறதுβ-SiC, மற்றும் ஒரு முக்கியமான பயன்பாடுβ-SiC ஒரு படம் மற்றும் பூச்சு பொருள், எனவேβ-SiC தற்போது பூச்சுக்கான முக்கிய பொருள்.
இடுகை நேரம்: நவம்பர்-06-2023