-
செமிகண்டக்டர் உற்பத்தி செயல்முறை - எட்ச் தொழில்நுட்பம்
செமிகண்டக்டராக மாற்ற நூற்றுக்கணக்கான செயல்முறைகள் தேவை. மிக முக்கியமான செயல்முறைகளில் ஒன்று பொறித்தல் - அதாவது, செதில்களில் சிறந்த சுற்று வடிவங்களை செதுக்குதல். செதுக்கல் செயல்முறையின் வெற்றியானது, ஒரு செட் விநியோக வரம்பிற்குள் பல்வேறு மாறிகளை நிர்வகிப்பதில் தங்கியுள்ளது, மேலும் ஒவ்வொரு செதுக்கலும்...மேலும் படிக்கவும் -
பிளாஸ்மா பொறித்தல் கருவிகளில் ஃபோகஸ் ரிங்க்களுக்கான சிறந்த பொருள்: சிலிக்கான் கார்பைடு (SiC)
பிளாஸ்மா செதுக்கும் கருவிகளில், ஃபோகஸ் ரிங் உட்பட பீங்கான் கூறுகள் முக்கிய பங்கு வகிக்கின்றன. ஃபோகஸ் ரிங், செதில்களைச் சுற்றி வைக்கப்பட்டு அதனுடன் நேரடி தொடர்பில் உள்ளது, மோதிரத்திற்கு மின்னழுத்தத்தைப் பயன்படுத்துவதன் மூலம் பிளாஸ்மாவை செதில் குவியப்படுத்துவதற்கு அவசியம். இது ஐக்கியத்தை மேம்படுத்துகிறது...மேலும் படிக்கவும் -
வரியின் முன் முடிவு (FEOL): அடித்தளம் அமைத்தல்
உற்பத்தி வரிசையின் முன் முனை அடித்தளம் அமைப்பது மற்றும் ஒரு வீட்டின் சுவர்களைக் கட்டுவது போன்றது. குறைக்கடத்தி உற்பத்தியில், இந்த நிலை சிலிக்கான் செதில்களில் அடிப்படை கட்டமைப்புகள் மற்றும் டிரான்சிஸ்டர்களை உருவாக்குவதை உள்ளடக்கியது. FEOL இன் முக்கிய படிகள்: ...மேலும் படிக்கவும் -
செதில் மேற்பரப்பு தரத்தில் சிலிக்கான் கார்பைடு ஒற்றை படிக செயலாக்கத்தின் விளைவு
செமிகண்டக்டர் பவர் சாதனங்கள் பவர் எலக்ட்ரானிக் அமைப்புகளில் முக்கிய இடத்தைப் பிடித்துள்ளன, குறிப்பாக செயற்கை நுண்ணறிவு, 5ஜி தகவல் தொடர்பு மற்றும் புதிய ஆற்றல் வாகனங்கள் போன்ற தொழில்நுட்பங்களின் விரைவான வளர்ச்சியின் பின்னணியில், அவற்றுக்கான செயல்திறன் தேவைகள் ...மேலும் படிக்கவும் -
SiC வளர்ச்சிக்கான முக்கிய பொருள்: டான்டலம் கார்பைடு பூச்சு
தற்போது, மூன்றாம் தலைமுறை குறைக்கடத்திகளில் சிலிக்கான் கார்பைடு ஆதிக்கம் செலுத்துகிறது. அதன் சாதனங்களின் விலைக் கட்டமைப்பில், அடி மூலக்கூறு 47% ஆகவும், எபிடாக்ஸி 23% ஆகவும் உள்ளது. இரண்டும் சேர்ந்து சுமார் 70% ஆகும், இது சிலிக்கான் கார்பைடு சாதன உற்பத்தியின் மிக முக்கியமான பகுதியாகும்...மேலும் படிக்கவும் -
டான்டலம் கார்பைடு பூசப்பட்ட பொருட்கள் பொருட்களின் அரிப்பு எதிர்ப்பை எவ்வாறு மேம்படுத்துகிறது?
டான்டலம் கார்பைடு பூச்சு என்பது பொதுவாக பயன்படுத்தப்படும் மேற்பரப்பு சிகிச்சை தொழில்நுட்பமாகும், இது பொருட்களின் அரிப்பு எதிர்ப்பை கணிசமாக மேம்படுத்த முடியும். டான்டலம் கார்பைடு பூச்சு வேதி நீராவி படிவு, இயற்பியல் போன்ற பல்வேறு தயாரிப்பு முறைகள் மூலம் அடி மூலக்கூறின் மேற்பரப்பில் இணைக்கப்படலாம்.மேலும் படிக்கவும் -
நேற்று, அறிவியல் மற்றும் தொழில்நுட்ப கண்டுபிடிப்பு வாரியம் Huazhuo துல்லிய தொழில்நுட்பம் அதன் IPO நிறுத்தப்பட்டதாக ஒரு அறிவிப்பை வெளியிட்டது!
சீனாவில் முதல் 8 அங்குல SIC லேசர் அனீலிங் உபகரணங்களை வழங்குவதாக அறிவித்தது, இது சிங்குவாவின் தொழில்நுட்பமாகும்; ஏன் அவர்களே பொருட்களை திரும்பப் பெற்றார்கள்? ஒரு சில வார்த்தைகள்: முதலில், தயாரிப்புகள் மிகவும் வேறுபட்டவை! முதல் பார்வையில், அவர்கள் என்ன செய்கிறார்கள் என்று எனக்குத் தெரியவில்லை. தற்போது, எச்...மேலும் படிக்கவும் -
CVD சிலிக்கான் கார்பைடு பூச்சு-2
சிவிடி சிலிக்கான் கார்பைடு பூச்சு 1. சிலிக்கான் கார்பைடு பூச்சு ஏன் உள்ளது எபிடாக்சியல் லேயர் என்பது எபிடாக்சியல் செயல்முறையின் மூலம் செதில்களின் அடிப்படையில் வளர்க்கப்படும் ஒரு குறிப்பிட்ட ஒற்றை படிக மெல்லிய படமாகும். அடி மூலக்கூறு செதில் மற்றும் எபிடாக்சியல் மெல்லிய படலம் ஆகியவை கூட்டாக எபிடாக்சியல் செதில்கள் என்று அழைக்கப்படுகின்றன. அவற்றில்,...மேலும் படிக்கவும் -
SIC பூச்சு தயாரிப்பு செயல்முறை
தற்போது, SiC பூச்சு தயாரிக்கும் முறைகளில் முக்கியமாக ஜெல்-சோல் முறை, உட்பொதித்தல் முறை, தூரிகை பூச்சு முறை, பிளாஸ்மா தெளிக்கும் முறை, இரசாயன நீராவி எதிர்வினை முறை (CVR) மற்றும் இரசாயன நீராவி படிவு முறை (CVD) ஆகியவை அடங்கும். உட்பொதித்தல் முறைஇந்த முறை ஒரு வகையான உயர் வெப்பநிலை திட-கட்டம் ...மேலும் படிக்கவும் -
CVD சிலிக்கான் கார்பைடு பூச்சு-1
CVD SiC இரசாயன நீராவி படிவு (CVD) என்றால் என்ன, இது உயர்-தூய்மை திடப் பொருட்களை உருவாக்கப் பயன்படும் வெற்றிட படிவு செயல்முறையாகும். செமிகண்டக்டர் உற்பத்தி துறையில் இந்த செயல்முறை பெரும்பாலும் செதில்களின் மேற்பரப்பில் மெல்லிய படலங்களை உருவாக்க பயன்படுகிறது. சிவிடி மூலம் SiC தயாரிக்கும் செயல்பாட்டில், அடி மூலக்கூறு எக்ஸ்ப்...மேலும் படிக்கவும் -
எக்ஸ்-ரே டோபோலாஜிக்கல் இமேஜிங் மூலம் ரே டிரேசிங் சிமுலேஷன் மூலம் SiC படிகத்தின் இடப்பெயர்வு கட்டமைப்பின் பகுப்பாய்வு
ஆராய்ச்சி பின்னணி சிலிக்கான் கார்பைட்டின் (SiC): பரந்த பேண்ட்கேப் குறைக்கடத்தி பொருளாக, சிலிக்கான் கார்பைடு அதன் சிறந்த மின் பண்புகள் (பெரிய பேண்ட்கேப், அதிக எலக்ட்ரான் செறிவு வேகம் மற்றும் வெப்ப கடத்துத்திறன் போன்றவை) காரணமாக அதிக கவனத்தை ஈர்த்துள்ளது. இந்த முட்டு...மேலும் படிக்கவும் -
SiC ஒற்றை படிக வளர்ச்சியில் விதை படிக தயாரிப்பு செயல்முறை 3
வளர்ச்சி சரிபார்ப்பு சிலிக்கான் கார்பைடு (SiC) விதை படிகங்கள் கோடிட்டுக் காட்டப்பட்ட செயல்முறையைத் தொடர்ந்து தயாரிக்கப்பட்டு SiC படிக வளர்ச்சி மூலம் சரிபார்க்கப்பட்டது. 2200℃ வளர்ச்சி வெப்பநிலை, 200 Pa வளர்ச்சி அழுத்தம் மற்றும் ஒரு வளர்ச்சியுடன் கூடிய சுய-வளர்ச்சியடைந்த SiC தூண்டல் வளர்ச்சி உலை பயன்படுத்தப்பட்டது.மேலும் படிக்கவும்