பீங்கான் குறைக்கடத்தி பண்புகள்

அம்சங்கள்:

குறைக்கடத்தி பண்புகளை கொண்ட மட்பாண்டங்களின் எதிர்ப்புத்திறன் சுமார் 10-5~ 107ω.cm ஆகும், மேலும் பீங்கான் பொருட்களின் குறைக்கடத்தி பண்புகளை ஊக்கமருந்து மூலம் பெறலாம் அல்லது ஸ்டோச்சியோமெட்ரிக் விலகலால் லேட்டிஸ் குறைபாடுகளை ஏற்படுத்தலாம். இந்த முறையைப் பயன்படுத்தும் மட்பாண்டங்கள் TiO2,

ZnO, CdS, BaTiO3, Fe2O3, Cr2O3 மற்றும் SiC. பல்வேறு பண்புகள்குறைக்கடத்தி மட்பாண்டங்கள்சுற்றுச்சூழலுடன் அவற்றின் மின் கடத்துத்திறன் மாறுகிறது, இது பல்வேறு வகையான பீங்கான் உணர்திறன் சாதனங்களை உருவாக்க பயன்படுகிறது.

வெப்ப உணர்திறன், வாயு உணர்திறன், ஈரப்பதம் உணர்திறன், அழுத்தம் உணர்திறன், ஒளி உணர்திறன் மற்றும் பிற சென்சார்கள் போன்றவை. Fe3O4 போன்ற செமிகண்டக்டர் ஸ்பைனல் பொருட்கள், MgAl2O4 போன்ற கடத்தி அல்லாத ஸ்பைனல் பொருட்களுடன் கட்டுப்படுத்தப்பட்ட திடக் கரைசல்களில் கலக்கப்படுகின்றன.

MgCr2O4, மற்றும் Zr2TiO4 ஆகியவை தெர்மிஸ்டர்களாகப் பயன்படுத்தப்படலாம், அவை வெப்பநிலையுடன் மாறுபடும் கவனமாகக் கட்டுப்படுத்தப்படும் எதிர்ப்புச் சாதனங்களாகும். Bi, Mn, Co மற்றும் Cr போன்ற ஆக்சைடுகளைச் சேர்ப்பதன் மூலம் ZnO ஐ மாற்றியமைக்க முடியும்.

இந்த ஆக்சைடுகளில் பெரும்பாலானவை ZnO இல் திடமாக கரைக்கப்படுவதில்லை, ஆனால் தானிய எல்லையில் உள்ள விலகல் ஒரு தடுப்பு அடுக்கை உருவாக்குகிறது, இதனால் ZnO varistor செராமிக் பொருட்களைப் பெறுகிறது, மேலும் இது varistor மட்பாண்டங்களில் சிறந்த செயல்திறன் கொண்ட ஒரு வகையான பொருள் ஆகும்.

SiC ஊக்கமருந்து (மனித கார்பன் கருப்பு, கிராஃபைட் தூள் போன்றவை) தயார் செய்யலாம்குறைக்கடத்தி பொருட்கள்உயர் வெப்பநிலை நிலைத்தன்மையுடன், பல்வேறு எதிர்ப்பு வெப்பமூட்டும் கூறுகளாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது, அதாவது, உயர் வெப்பநிலை மின்சார உலைகளில் சிலிக்கான் கார்பன் கம்பிகள். விரும்பிய எதையும் அடைய SiC இன் எதிர்ப்பாற்றல் மற்றும் குறுக்குவெட்டைக் கட்டுப்படுத்தவும்

இயக்க நிலைமைகள் (1500 ° C வரை), அதன் எதிர்ப்பை அதிகரிப்பது மற்றும் வெப்ப உறுப்புகளின் குறுக்கு பிரிவைக் குறைப்பது, உருவாக்கப்பட்ட வெப்பத்தை அதிகரிக்கும். காற்றில் சிலிக்கான் கார்பன் தடி ஆக்சிஜனேற்ற எதிர்வினை ஏற்படும், வெப்பநிலையின் பயன்பாடு பொதுவாக 1600 டிகிரி செல்சியஸ் கீழே இருக்கும், சிலிக்கான் கார்பன் கம்பியின் சாதாரண வகை

பாதுகாப்பான இயக்க வெப்பநிலை 1350 ° C ஆகும். SiC இல், ஒரு Si அணு N அணுவால் மாற்றப்படுகிறது, ஏனெனில் N அதிக எலக்ட்ரான்களைக் கொண்டுள்ளது, அதிகப்படியான எலக்ட்ரான்கள் உள்ளன, மேலும் அதன் ஆற்றல் நிலை குறைந்த கடத்தல் பட்டைக்கு அருகில் உள்ளது மற்றும் கடத்தல் பட்டைக்கு உயர்த்துவது எளிது, எனவே இந்த ஆற்றல் நிலை நன்கொடையாளர் நிலை என்றும் அழைக்கப்படுகிறது, இந்த பாதி

கடத்திகள் N-வகை குறைக்கடத்திகள் அல்லது மின்னணு முறையில் நடத்தும் குறைக்கடத்திகள். ஒரு Si அணுவை மாற்றுவதற்கு SiC இல் அல் அணு பயன்படுத்தப்பட்டால், எலக்ட்ரான் இல்லாததால், உருவான பொருள் ஆற்றல் நிலை மேலே உள்ள வேலன்ஸ் எலக்ட்ரான் பட்டைக்கு அருகில் உள்ளது, எலக்ட்ரான்களை ஏற்றுக்கொள்வது எளிது, எனவே ஏற்றுக்கொள்ளும் தன்மை என்று அழைக்கப்படுகிறது.

எலக்ட்ரான்களைக் கடத்தக்கூடிய வேலன்ஸ் பேண்டில் காலியான நிலையை விட்டுச்செல்லும் முக்கிய ஆற்றல் நிலை, நேர்மறை சார்ஜ் கேரியரைப் போலவே செயல்படுவதால், பி-வகை குறைக்கடத்தி அல்லது துளை குறைக்கடத்தி (H. Sarman,1989) என்று அழைக்கப்படுகிறது.